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J-GLOBAL ID：201702278989129534   整理番号：17A0605021

2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発

Sub-3 ns pulse with sub-100 μA switching of 1x-2x nm perpendicular MTJ for high-performance embedded STT-MRAM towards sub-20 nm CMOS

著者 (11件)： 才田大輔 (東芝 研究開発セ) ,  柏田沙織 (東芝 研究開発セ) ,  矢ヶ部恵弥 (東芝 研究開発セ) ,  大坊忠臣 (東芝 研究開発セ) ,  伊藤順一 (東芝 研究開発セ) ,  野口紘希 (東芝 研究開発セ) ,  安部恵子 (東芝 研究開発セ) ,  藤田忍 (東芝 研究開発セ) ,  福本三芳 (大阪大) ,  三輪真嗣 (大阪大) ,  鈴木義茂 (大阪大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 9(ICD2017 1-18)  ページ： 5-9  発行年： 2017年04月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1x-nmサイズのMTJ(magnetic tunnel junction)素子を開発し,3ns以下の高速スイッチング動作と100μA以下の低電流動作を実証した。開発したMTJ素子は,キャッシュメモリで要求されるデータ保持時間(retention)を有し,高速で安定した読み出し動作と書き込みのEndurance耐性も両立していることを確かめている。(著者抄録)

シソーラス用語： *消費電力 ,  不揮発性メモリ ,  *MRAM ,  *トンネル接合 ,  保持 ,  電気回路 ,  データ書込 ,  キャッシュメモリ ,  技術 ,  微細加工
準シソーラス用語： *MRAMデバイス ,  *MTJ ,  データ保持 ,  *低消費電力化 ,  読出回路 ,  微細加工技術

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (7件)：

• K. Ikegami et al, ′′MTJ-Based ′′Normally-Off Processors′′ with Thermal Stability Factor Engineered Perpendicular MTJ, L2 Cache Based on 2T-2MTJ Cell, L3 and Last Level Cache Based on 1T-1MTJ Cell and Novel Error Handling Scheme′′, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2015, p 628.
• C. Park et al., ′′Systematic Optimization of 1 Gbit Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Arrays for 28 nm Embedded STT-MRAM and Beyond′′, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2015, p 664.
• G. Hu et al, ′′STT-MRAM with double magnetic tunnel junctions′′, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2015, p 668.
• Y. Huai et al., ′′Fully Functional 64Mb pMTJ STT-MRAM Chips on 300 mm Wafers′′, Int. Work. : Spintronics VLSI, 2015, p3.
• H. Noguchi et al., ′′A 250-MHz 256b-I/O 1-Mb STT-MRAM with advanced perpendicular MTJ based dual cell for nonvolatile magnetic caches to reduce active power of processors,′′ in Proc. Symp. Very Large Scale Integr. (VLSI) Technol., Jun. 2013, pp. C108-C109.

タイトルに関連する用語 (7件)： 世代 ,  トランジスタ ,  低消費電力 ,  不揮発性 ,  STT-MRAM ,  MTJ素子 ,  開発