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J-GLOBAL ID：201702285602339306   整理番号：17A0548965

AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析

著者 (11件)： 渡邉健太 (大阪大 大学院) ,  山田高寛 (大阪大 大学院) ,  野崎幹人 (大阪大 大学院) ,  中澤敏志 (パナソニック) ,  SHIH Hongan (パナソニック) ,  按田義治 (パナソニック) ,  上田哲三 (パナソニック) ,  吉越章隆 (日本原子力研究開発機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-315-2  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  熱酸化 ,  窒化ガリウム ,  *酸化 ,  *表面処理 ,  *光電子分光法 ,  ヘテロ接合 ,  FET【トランジスタ】 ,  *プロセス解析 ,  *表面酸化 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  シンクロトロン放射光電子分光法
準シソーラス用語： *AlGaN ,  AlGaN/GaN ,  シンクロトロン放射光電子分光 ,  HFET

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  熱酸化 ,  過程 ,  放射光 ,  光電子分光分析