特許

J-GLOBAL ID：201703001173896810

不純物導入装置、不純物導入方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 池上 浩 ,  池田 晃裕 ,  浅野 種正 ,  井口 研一 ,  中澤 治雄 ,  吉川 功 ,  関 康和
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  富士電機株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-169697
公開番号（公開出願番号）：特開2017-045962
出願日： 2015年08月28日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：

【課題】ワイドバンドギャップ半導体等の、窒素の拡散係数の極めて小さい固体材料であっても、窒素を固体材料の表面に固体材料の固溶濃度(熱力学的平衡濃度)を超える高濃度で導入する。【解決手段】不純物導入装置1が、窒化物膜4を対象物2の表面に成膜する成膜装置10と、光パルスを出射する光源34と、窒化物膜4に光パルスを照射するビーム調整系33と、を備え、窒化物中の窒素を対象物2に導入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物膜を対象物の表面上に堆積するステップと、 前記窒化物膜に光パルスを照射するステップと、 を含み、窒化物中の窒素を前記対象物に導入することを特徴とする不純物導入方法。

IPC (1件)：

H01L 21/22

FI (1件)：

H01L21/22 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• シリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-191269   出願人：株式会社SUMCO
• レーザドーピング方法および該方法に基づいて製造された半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-004897   出願人：シャープ株式会社
• 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-217085   出願人：株式会社イオン工学研究所, 中嶋堅志郎, 江龍修
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121530   出願人：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構

審査官引用 (4件)

• シリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-191269   出願人：株式会社SUMCO
• レーザドーピング方法および該方法に基づいて製造された半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-004897   出願人：シャープ株式会社
• 炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-217085   出願人：株式会社イオン工学研究所, 中嶋堅志郎, 江龍修
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121530   出願人：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構