特許
J-GLOBAL ID：201703015253097669
成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
岡部 讓
, 吉澤 弘司
, 三村 治彦
, 久保田 智樹
, 岡部 洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-505257
特許番号：特許第6063035号
出願日： 2014年02月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 AlxGa1-xN(ただし、0≦x≦1)に、C,Si,Ge,Mg,Zn,Mn,Crの群から選ばれた少なくとも一つの物質が添加されたウルツ鉱構造を有するエピタキシャル膜を備えるバッファー層を、基板ホルダーに保持されたサファイア基板上に、スパッタリング法によって形成する工程を有し、
前記バッファー層を形成する工程は、希ガスおよび窒素含有ガスを真空容器に導入し、Al金属またはAlGa合金に、前記C,Si,Ge,Mg,Zn,Mn,Crの群から選ばれた前記少なくとも一つの物質を5at%以下の濃度で均一に分散させたスパッタリングターゲットへ電力を供給することによって、前記真空容器内にプラズマを発生させることによって前記スパッタリング法を行い、
前記バッファー層を形成する工程は、前記C,Si,Ge,Mg,Zn,Mn,Crの群から選ばれた前記少なくとも一つの物質が、母体となる前記ウルツ鉱構造の格子間に入り、かつ前記C,Si,Ge,Mg,Zn,Mn,Crの群から選ばれた前記少なくとも一つの物質が、母体となる前記ウルツ鉱構造の格子点に入らないように行われる
ことを特徴とする成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203 ( 200 6.01)
, C23C 14/34 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 23/08 ( 200 6.01)
, H01L 33/12 ( 201 0.01)
H01L 21/203 S
, C23C 14/34 N
, C30B 29/38 D
, C30B 23/08 P
, H01L 33/12
