特許

J-GLOBAL ID：201103049661445249

III族窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 横山 泰典 ,  三木 久幸
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-002985
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082570
出願日： 2011年01月11日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なIII族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】サファイアからなる基板11上に、少なくともIII族窒化物化合物からなるバッファ層12を積層し、該バッファ層12上に、n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16を順次積層する方法であり、スパッタ装置のチャンバ内において、基板加熱用の設定温度をバッファ層12の成膜温度と同じかそれ以上としてダミー放電を行ない、その後、スパッタ装置のチャンバ内の到達真空度を2×10-5Pa以下の条件として、金属Al原料と窒素元素を含んだガスとを用いた反応性スパッタ法を用いて、バッファ層12をAlNから形成する方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイアからなる基板上に、少なくともIII族窒化物化合物からなるバッファ層を積層し、該バッファ層上に、n型半導体層、発光層及びp型半導体層を順次積層するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、 スパッタ装置のチャンバ内において、基板加熱用の設定温度をバッファ層の成膜温度と同じかそれ以上としてダミー放電を行ない、その後、スパッタ装置のチャンバ内の到達真空度を2×10-5Pa以下の条件として、金属Al原料と窒素元素を含んだガスとを用いた反応性スパッタ法を用いて、バッファ層をAlNから形成することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/32 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L33/00 186 ,  H01L21/203 S ,  H01L21/205

Fターム (27件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DB01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F103AA08 ,  5F103DD01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-121692   出願人：豊田合成株式会社
• スパッタリング装置及びその高速真空排気方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-357404   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開昭60-039819
  
• 特開昭60-039819
  
• 特開昭60-173829
  
• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266499   出願人：豊田合成株式会社