特許
J-GLOBAL ID：200903046053545594
結晶基板およびGaN系結晶膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135776
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329971
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 GaN系半導体デバイスの結晶成長用に適し、欠陥密度の低い高品質のGaN系結晶連続膜を備えた結晶基板とその製造方法を提供する。【解決手段】 本結晶基板には表面がC面のサファイア基板101上にGaNバッファ層102、エピタキシャル成長GaN層103、及びSiO2膜104が順次形成された基体10上に、複数の島状GaN系結晶11と、その上に形成されたGaN系結晶連続膜12とを備えている。GaN層103の表面に複数の開口部105を有するSiO2膜104を真空蒸着やCVD法で形成後、NH3とN2の混合雰囲気中でGaN粉末原料を昇華させ、基体上の該開口部105にGaN系化合物を選択再結晶化させることにより、複数の島状GaN系結晶11を得る第1の結晶成長工程と、該結晶11を核としてGaN系結晶を形成することにより、GaN系結晶連続膜12を得る第2の結晶成長工程とから成る。
請求項（抜粋）：
基体上に、複数の、昇華再結晶法により形成された島状のGaN系結晶と、その上に形成されたGaN系結晶連続膜とを有する、結晶基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 33/00 C
