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J-GLOBAL ID：200902120204720832   整理番号：02A0466711

高誘電率ゲート用ZrO₂およびPrO_x薄膜の作製と評価

著者 (6件)： 寒川雅之 (大阪大 基礎工) ,  北井聡 (大阪大 基礎工) ,  神田浩文 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工) ,  藤本晶 (和歌山工高専) ,  奥山雅則 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 829  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： PLD【蒸着】

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高誘電率 ,  ゲート ,  ZrO2 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価