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J-GLOBAL ID：200902186407103856   整理番号：02A0012168

フォトレフレクタンス分光法によるSiの表面応力の非接触・非破壊評価

Non-Destructive and Contactless Monitoring Technique of Si Surface Stress by Photoreflectance Spectroscopy.

著者 (4件)： 藤本晶 (和歌山工高専) ,  寒川雅之 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 和歌山工業高等専門学校研究紀要  (Memoirs of the Wakayama Technical College)
号： 36  ページ： 15-19  発行年： 2001年10月30日 
JST資料番号： S0941A  ISSN： 0287-5381  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フォトレフレクタンス(PR)分光法を用いてシリコン表面の歪と...

シソーラス用語： *フォトリフレクタンス ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： フォト ,  レフレクタンス ,  分光法 ,  Si ,  表面応力 ,  非接触 ,  非破壊評価