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J-GLOBAL ID：200902190013953762   整理番号：00A0557875

重イオン照射によるBi系超伝導体へのピニングセンターの導入

Introduction of Flux Pining Centers in Bi-based Superconductors by Heavy Ion Irradiation.

著者 (9件)： 高田潤 (岡山大 工) ,  菊池丈幸 (岡山大 工) ,  中西真 (岡山大 工) ,  長江正寛 (岡山大 環境理工) ,  草野圭弘 (倉敷芸術科大 芸術) ,  池田靖訓 (京大 化研) ,  高野幹夫 (京大 化研) ,  安田仲宏 (放医研) ,  村上健 (放医研)
資料名： NIRS-M (National Inst. of Radiological Sciences)  (NIRS-M (National Inst. of Radiological Sciences))
号： 133  ページ： 211-212  発行年： 1999年04月 
JST資料番号： Z0881A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 重イオン照射 ,  Bi ,  超伝導体 ,  ピニング ,  センター