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J-GLOBAL ID：200902191068973483   整理番号：00A0378645

単結晶シリコンインゴットの放電スライシング法

A New Slicing Method of Monocrystalline Silicon Ingot by Wire EDM.

著者 (5件)： 岡田晃 (岡山大 工) ,  宇野義幸 (岡山大 工) ,  岡本康寛 (岡山大 工) ,  伊藤久 (岡山大 大学院) ,  平野為義 (トーヨーエイテック)
資料名： 電気加工学会誌  (Journal of the Japan Society of Electrical Machining Engineers)
巻： 34  号： 75  ページ： 14-21  発行年： 2000年03月30日 
JST資料番号： F0520B  ISSN： 0387-754X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大径化する標記インゴットのスライス法として従来のIDブレード...

シソーラス用語： *半導体材料 ,...
準シソーラス用語： シリコンウエファ ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• 阿部孝夫. シリコン結晶成長とウェーハ加工. 1996, 13
• 牧野国雄. マルチワイヤソーを用いた切断加工の実際. 砥粒加工学会誌. 1997, 41, 1, 16
• 伴保隆. シリコンLSIと科学. 1993, 85
• 宇野義幸. 単結晶シリコンの放電加工に関する基礎的研究. 精密加工学会誌. 1997, 63, 10, 1459
• 斎藤長男. 放電加工の仕組みと100%活用法. 1979, 26

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶シリコン ,  インゴット ,  放電 ,  スライシング