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J-GLOBAL ID：200902202004301220   整理番号：08A0424976

MOCVD法で作製したエピタキシャルBiFeO₃-BiCoO₃膜の結晶相と電気特性

著者 (11件)： 安井伸太郎 (東京工大) ,  永沼博 (東京理大) ,  岡村総一郎 (東京理大) ,  西田謙 (防衛大) ,  山本孝 (防衛大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  東正樹 (京大 化研) ,  森岡仁 (東京工大) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  斎藤啓介 (ブルカーAXS) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 2  ページ： 576  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： コバルト酸塩 ,  鉄酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  膜厚 ,  *結晶構造 ,  状態図 ,  *誘電体薄膜 ,  磁性強誘電体
準シソーラス用語： マルチフェロイック

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  作製 ,  エピタキシャル ,  BiFeO3 ,  結晶相 ,  電気特性