文献

J-GLOBAL ID：200902216993012690   整理番号：09A0136215

エンハンスメントモードm面のAlGaN/GaNヘテロ接合FET

Enhancement-Mode m-plane AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors

著者 (7件)： FUJIWARA Tetsuya (Univ. California, California, USA) ,  RAJAN Siddharth (Univ. California, California, USA) ,  KELLER Stacia (Univ. California, California, USA) ,  HIGASHIWAKI Masataka (Univ. California, California, USA) ,  SPECK James S. (Univ. California, California, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, California, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, California, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 1  ページ： 011001.1-011001.2  発行年： 2009年01月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： m-面のAlGaN/GaNヘテロ接合FETの初めての実証について報告する。このトランジスタは,ノンポーラAlGaN/GaNヘテロ接合によるしきい値電圧+2.0Vのエンハンスメントモード動作を示した。ドレイン・ソース間最大電流密度はゲート・ソース間電圧(V_gs)+9Vにおいて130mA/mm,また,最大相互コンダクタンスはV_gs=+8Vにおいて25 mS/mmであった。ON/OFF比は10⁶以上であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *閾値 ,  電流密度 ,  比率 ,  *相互コンダクタンス ,  モード ,  トランジスタ
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  エンハンスメントモード

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• KHAN, M. A. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 514
• LANFORD, W. B. Electron. Lett. 2005, 41, 449
• HU, X. Electron. Lett. 2000, 36, 753
• CAI, Y. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 435
• KURODA, M. Ext. Abstr. 2007 Int. Conf. Solid State Devices and Materials. 2007, 148

タイトルに関連する用語 (4件)： エンハンスメントモード ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合FET