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J-GLOBAL ID：200902221927060939   整理番号：08A0582623

レーザトリガ型Sn EUV放電光源の開発

Development of Laser Triggered Sn Discharge EUV Light Source

著者 (9件)： 山田淳三郎 (東京工大) ,  ZHU Qiushi (東京工大) ,  岸望 (東京工大) ,  渡辺正人 (東京工大) ,  MASNAVI Majid (東京工大) ,  沖野晃俊 (東京工大) ,  河村徹 (東京工大) ,  堀岡一彦 (東京工大) ,  堀田栄喜 (東京工大)
資料名： 電気学会パルスパワー研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： PPT-08  号： 16-24  ページ： 37-41  発行年： 2008年05月29日 
JST資料番号： L4030A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： これまで,パルス放電を利用したXeZピンチEUV(極端紫外線)光源を用い,装置の大電流化や強力な予備電離機構を設置することにより高温高密度プラズマを生成し,EUV出力の向上を図ってきた。本稿ではXeに比べてSnの方がEUV光への変換効率が高いことから,SnをEUV発光材料として用いたレーザトリガ型放電について,実験による検証を行った。実験では,Nd:YAGレーザ光を電極の先に組み込んだSnに入射し,電極間に絶縁破壊を起こすことで放電電流を流し,生成されたSnプラズマからEUV光放射を得た。開発したレーザトリガ型SnEUV放電光源に対して,フォトダイオードとX線CCDカメラなどを用いて,EUV発光特性などを測定した。電極形状の影響,磁気コアの影響などの実験結果を紹介した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  極端紫外線 ,  *紫外光源 ,  スズ ,  プラズマ生成 ,  パルス放電
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  レーザトリガ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• 村上勝彦, 岡崎信次:「EUVリソグラフィと露光装置」, J. Plasma Fusion Res., Vol.79, No.3(2003)pp. 221-225
• 堀田栄喜:「放電生成プラズマ光源研究の現状」, J. Plasma FusionRes., Vol.79, No.3(2003)pp. 245-251
• 飯塚直哉:「ガスジェットZピンチプラズマを用いた半導体リソグラフィー用EUV光源の高出力化」, 東京工業大学修士論文 (2007) p. 8
• 小林靖典:「2段磁気パルス圧縮を用いたEUVリソグラフィ用パルスパワーシステムの開発」, 東京工業大学修士論文 (2006) pp. 40-43
• 堀田和明:「リソグラフィ用EUV光源」, レーザー研究, 29(2001)pp. 638-644

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ ,  トリガ ,  Sn ,  EUV ,  放電 ,  開発