抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本論文では,VUV(Vacuum ultraviolet)/XUV(Extreme ultraviolet)領域の光に対する蛍光体の光変換素子性能について報告する。VUV/XUV光のイメージング素子には,XUV用CCDカメラやMCP(Micro-Channel Plate)などがあるが,これらは一般に非常に高価である。これに変わるイメージング素子として,VUV/XUV光を可視光に光変換する蛍光体を可視用CCDカメラと組み合わせることを考え,蛍光体の発光特性を評価した。蛍光体をVUV/XUV光のイメージング素子とした場合,Zn
2SiO
4:Mn
2+(1.8mg/cm
2)を用いると12μm以下のにじみでVUV/XUV光をイメージングできることが分かった。また,蛍光発光量は,励起光量が約5×10
13個/s cm
2以上になると線形な増加を示すことが分かった。この線形領域において,蛍光体をVUV/XUV光の光量計測素子とした場合,蛍光発光量を1%の精度で計測することで励起光量を約0.5%の精度で求めることができる。更に,30~117nmの励起波長域における蛍光発光の量子効率は,Zn
2SiO
4:Mn
2+の方がBaMgAl
10O
17:Eu
2+より約2倍高く,蛍光発光の照度としては,BaMgAl
10O
17:Eu
2+の方がZn
2SiO
4:Mn
2+より約3倍多くなることが予想された。一方,蛍光発光量としては,Zn
2SiO
4:Mn
2+の方がBaMgAl
10O
17:Eu
2+より約100倍多くなると見積もられた。(著者抄録)