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J-GLOBAL ID：200902246875406052   整理番号：09A0530990

ガスフロースパッタリングによって蒸着されたFePt膜における低温秩序化

Low-temperature Ordering in FePt Films Deposited by Gas Flow Sputtering

著者 (4件)： SAKUMA H. (Res. Div. of Functional Materials Design, Utsunomiya Univ.) ,  KAWANO H. (Res. Div. of Functional Materials Design, Utsunomiya Univ.) ,  ISHII K. (Res. Div. of Functional Materials Design, Utsunomiya Univ.) ,  TANIYAMA T. (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol.)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 33  号： 3  ページ： 167-170 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 1882-2924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FePt膜を低エネルギースパッタリング法,すなわちガスフロースパッタリングによって基板を加熱すること無しに蒸着した。L1₀秩序パラメータ,モルフォロジー,および膜の磁気特性へのアニーリングの影響を調べた。秩序パラメータは,413°Cでのアニーリングの後,大幅に増大した。76nm厚の膜の秩序パラメータは0.84であった。膜の保磁力は15.6kOeであった。これは高い秩序パラメータに呼応している。走査電子顕微鏡観察の結果,膜の秩序化は結晶粒の成長と共に進展した。アニール無しの厚い(950nm)膜のXRDパターンは110超構造ピークを示した。蒸着直後の膜における小さい結晶粒サイズとL1₀相の核の存在は,比較的低い温度での秩序化誘起においてキーとなる役割を果たす。これらの因子は不連続的な秩序化を推進する。そこでは秩序化は結晶粒界拡散とL1₀結晶粒の成長と共に進展する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スパッタリング ,  半導体プロセス ,  鉄合金 ,  白金合金 ,  *金属薄膜 ,  *磁性薄膜 ,  結晶粒 ,  結晶粒界 ,  結晶粒径 ,  金属間化合物 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  アニーリング【現象】 ,  *規則化 ,  秩序パラメータ ,  低温プロセス ,  L10型金属間化合物
準シソーラス用語： ガスフロースパッタリング

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (18件)：

• 1) Y. Endo, N. Kikuchi, O. Kitakami, and Y. Shimada: J. Appl. Phys., 89, 7065 (2001).
• 2) T. Shima, T. Moriguchi, S. Mitani, and K. Takanashi: Appl. Phys. Lett., 80, 288 (2002).
• 3) T. Maeda, T. Kai, A. Kikitsu, T. Nagase, and J.-I. Akiyama: Appl. Phys. Lett., 80, 2147 (2002).
• 4) C. L. Platt, K. W. Wierman, E. B. Svedberg, R. van de Veerdonk, J. K. Howard, A. G. Roy, and D. E. Laughlin: J. Appl. Phys., 92, 6104 (2002).
• 5) C.-H. Lai, C.-H. Yang, C. C. Chiang, T. Balaji, and T. K. Tseng: Appl. Phys. Lett., 85, 4430 (2004).

タイトルに関連する用語 (5件)： ガスフロー ,  スパッタリング ,  蒸着 ,  低温 ,  秩序化