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J-GLOBAL ID：200902283551570910   整理番号：08A0424536

放射光X線トポグラフィによる12-inch sc-sSOIウェーハの結晶性評価

著者 (8件)： 井上智之 (大阪大 大学院) ,  岡本佑樹 (大阪大 大学院) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  江戸太樹 (富山大 理) ,  飯田敏 (富山大 理)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 1  ページ： 425  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *X線トポグラフィー ,  シンクロトロン放射 ,  SOI構造 ,  *ウエハ【IC】 ,  *結晶度 ,  評価 ,  格子歪 ,  臨界 ,  膜厚 ,  MOSFET
準シソーラス用語： シンクロトロン放射光

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 放射光 ,  X線トポグラフィ ,  Sc ,  結晶性 ,  評価