文献

J-GLOBAL ID：200902286365470106   整理番号：08A0448947

放射光X線トポグラフィによる歪みSiウェーハの評価

著者 (8件)： 志村考功 (大阪大 大学院) ,  井上智之 (大阪大 大学院) ,  岡本佑樹 (大阪大 大学院) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  江戸太樹 (富山大 理) ,  飯田敏 (富山大 理) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 0  ページ： 127  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： シンクロトロン放射 ,  *X線トポグラフィー ,  *歪 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ウエハ【IC】
準シソーラス用語： 放射光

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 放射光 ,  X線トポグラフィ ,  歪み ,  Siウェーハ ,  評価