特許
J-GLOBAL ID：200903010871761478

半導体素子およびその製造方法

発明者：
宮嶋 孝夫

宮嶋 孝夫 について

, 
冨谷 茂隆

冨谷 茂隆 について

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朝妻 庸紀

朝妻 庸紀 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320465
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135001
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 GaInN混晶層などのインジウム含有層に含まれるインジウム組成比を大きくすると共に結晶品質を高めることができ、特性を向上させることができる半導体素子を提供する。【解決手段】 基板10の一面側に、低温バッファ層11,第1中間層21,極性反転層20,第2中間層22,n側コンタクト層31,n型クラッド層32,第1ガイド層33,活性層34,第2ガイド層35,p型クラッド層36およびp側コンタクト層37が順に積層されている。極性反転層20は、例えばGaNにより構成され、不純物としてマグネシウム(Mg)を含み極性がGa極性からN極性に反転されている。第2中間層22より上部(p側コンタクト層37まで)がN極性となり、活性層34は、Ga極性の層上に形成された場合に比べて、インジウム組成比が高く結晶品質の高いものとなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の一面側に設けられると共に3B族元素のうちの少なくともガリウム(Ga)と5B族のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体により構成され、不純物としてマグネシウム(Mg)を含み極性が反転してなる極性反転層と、 前記極性反転層の前記基板と反対側に設けられると共に3B族のうちの少なくともインジウム(In)と5B族のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりなるインジウム含有層と を備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (17件)：
5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F173AF03 ,  5F173AG12 ,  5F173AG20 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AP06 ,  5F173AP60 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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