特許
J-GLOBAL ID：200903012689693087
光学フィルムの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長濱 範明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-246207
公開番号（公開出願番号）：特開2007-055193
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】簡便な工程により液晶性高分子の配向を三次元的に制御し、低コストで、効率よくチルト構造を有する液晶性高分子からなる光学フィルムを製造することが可能な方法を提供すること。【解決手段】液晶性高分子を含有する溶液を、配向規制力のある基板面上に塗布する工程と、液晶状態を呈する温度で、基板側の下面部にある液晶性高分子を第一の方向に配向させる工程と、液晶状態を呈する温度で磁場を印加し、基板から離れた側の上面部にある液晶性高分子を、基板面の法線方向と第一の方向とを含む面内において、第一の方向に対して45〜90°の角度をなす第二の方向に配向させると共に、下面部と上面部との間にある液晶性高分子の配向方向が第一の方向から第二の方向に連続的に変化するチルト構造の中間部を形成せしめる工程と、配向せしめた液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とする工程によりなる、光学フィルムの製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となる液晶性高分子を含有する溶液を、配向規制力のある基板の基板面上に塗布する工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記基板の配向規制力によって基板側の下面部にある前記液晶性高分子を第一の方向に配向させる工程と、
前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記液晶性高分子に磁場を印加し、基板から離れた側の上面部にある前記液晶性高分子を、前記基板面の法線方向と前記第一の方向とを含む面内において、前記第一の方向に対して45〜90°の角度をなす第二の方向に配向させると共に、前記下面部と前記上面部との間にある前記液晶性高分子の配向方向が第一の方向から第二の方向に連続的に変化するチルト構造の中間部を形成せしめる工程と、
前記配向せしめた前記液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とし、前記液晶性高分子からなる光学フィルムを得る工程と、
を含むことを特徴とする光学フィルムの製造方法。
IPC (3件)：
B29C 41/12
, G02B 5/30
, B29C 41/50
B29C41/12
, G02B5/30
, B29C41/50
2H049BA06
, 2H049BA42
, 2H049BC02
, 2H049BC08
, 2H049BC22
, 4F205AA24
, 4F205AC05
, 4F205AG01
, 4F205AH73
, 4F205AM29
, 4F205AR06
, 4F205GA06
, 4F205GB01
, 4F205GC06
, 4F205GF24
, 4F205GN13
, 4F205GN18
, 4F205GN29
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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