特許
J-GLOBAL ID：200903028655567906
半導体光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229088
公開番号（公開出願番号）：特開2004-070000
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】光機能部に発生する熱を半導体基板側に分散させることにより、光機能部の温度上昇を抑制でき、光機能部の動作レベルを高い状態に維持すること。【解決手段】n-InP基板1上に、n-InP下部クラッド層2と多重量子井戸層3とp-InP上部クラッド層4とp-InGaAsPコンタクト層5とがリッジ幅Wのハイメサ構造にて形成されている。このハイメサ側面は、光機能部で発生した熱を半導体基板に分散させるためのInAlAs半導体結晶部8を部分的に形成している。半導体結晶部8を部分的に形成したハイメサ周囲部は、厚膜のSiO2:9により被覆されている。光機能部で発生した熱を半導体基板に分散させるための半導体結晶部8をハイメサ構造の周囲部分に部分選択的に形成し、半導体結晶部8にキャリア発生元素を不活性化したり、又は深い不純物凖位を形成して半導体結晶部8を半絶縁性に変える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光吸収機能を有する光機能部を半導体基板上に設け、光吸収により発生したキャリアにより熱が発生する半導体光素子において、
前記光機能部がリッジ構造であるとともに、該光機能部で発生した熱を前記半導体基板へ分散させるために、前記光機能部の周囲に部分的に設けられたAlを含む半導体結晶部を有し、
該Alを含む半導体結晶部が、ハイメサ側面及び基板表面を覆うように構成されているとともに、キャリア発生元素を不活性化又は深い不純物凖位を形成するための不純物を導入することによって半絶縁化されていることを特徴とする半導体光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079HA22
