特許

J-GLOBAL ID：200903006802718482

III-V構造で使用するドーパント拡散バリア層

発明者： マイケル ジェヴァ ,  ユリア アナトリーエヴナ アクロヴァ ,  アブダラー オーガザデン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237498
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、pn接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない2重層のドーパント拡散バリアを提供する。【解決手段】 多層膜ドーパント拡散バリヤは、ドーパントの拡散を効率的に阻止するが、寄生pn接合または寄生容量には貢献しないと開示されている。多層膜ドーパント拡散バリヤ層はドーパントの拡散を阻止する。

請求項（抜粋）：

光電子デバイスであり、ドープ層を有し、該ドープ層とある1層の間にある少なくとも2つの層を備えたドーパントバリヤをさらに有し、該ドーパントバリヤが前記ドープ層とpn接合を形成しないことを特徴とする光電子デバイス。

IPC (3件)：

H01S 5/227 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01S 5/227 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/323

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-013578   出願人：富士通株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-056085   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055289   出願人：株式会社東芝