特許

J-GLOBAL ID：200903072556722354

AlN障壁層を有するGaN系電界効果トランジスタ、及びそのような電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 東脇 正高
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 廣瀬 隆行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-056719
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234986
出願日： 2006年03月02日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】 本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得る新規なGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

GaN又はInGaNからなるチャネル層と、AlNからなる障壁層とを含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜を有する電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E

Fターム (67件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21 ,  5F110AA01 ,  5F110AA11 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC02 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK28 ,  5F140BK38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• GaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその特性を制御する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-061561   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-044515   出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 保護層および低損傷陥凹部を備える窒化物ベースのトランジスタならびにその製作方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-549235   出願人：クリーインコーポレイテッド