特許

J-GLOBAL ID：200903077411419299

半導体受光素子

発明者： 村本 好史 ,  深野 秀樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197272
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024211
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】導波路型受光素子を高出力化する。【解決手段】導波路型受光素子の積層構造を、光吸収層(11)に両面にそれぞれ接して形成される上部の光ガイド層(12)および下部の光ガイド層(13)の厚さが互いに異なる非対称構造とする。【効果】入射端近傍における光の吸収とキャリア発生の集中が緩和されて、受光素子の出力が高くなる。

請求項（抜粋）：

光吸収層である第1の半導体層と、当該第1の半導体層の第1および第2の面の上にそれぞれ形成された光ガイド層である第2および第3の半導体層と、当該第2および第3の半導体層上にそれぞれ形成された光を閉じ込めるためのクラッド層である第4および第5の半導体層を少なくとも具備し、上記第2の半導体層と上記第3の半導体層は、厚さが互いに異なることを特徴とする半導体受光素子。

Fターム (6件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049QA02 ,  5F049QA08 ,  5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 導波路型受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240882   出願人：古河電気工業株式会社
• 導波路型半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-314583   出願人：日本電気株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-266224   出願人：日本電信電話株式会社