半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001220
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190804
出願日： 2005年01月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】MEMS素子などの微細な構造体から構成された異なる形態の素子が、LSIなどが形成されている半導体基板の上にモノリシックに搭載されて、より小さな状態とされたパッケージの状態の半導体装置を提供する。【解決手段】電極パッド103の上に柱状の金属ポスト(貫通電極)109が形成された状態とし、MEMS素子106及び固定素子107が、充分な厚さの樹脂絶縁層108に覆われた状態とする。樹脂絶縁層108の上面は、金属ポスト109の上面が露出して平坦な状態とされた状態とする。次に、樹脂絶縁層108の上に露出した部分の金属ポスト109に接続する再接続配線110により、より内側に配置された実装用パッド111が、再接続配線110を介して金属ポスト109(電極パッド103)に接続された状態とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に形成されて信号処理を含む回路機能を有する半導体集積回路と、前記半導体基板の上に形成されて前記半導体集積回路に接続された第1受動素子と、前記半導体基板の上に形成されて前記半導体基板の面に対向する天井壁とこの天井壁を前記半導体基板の上に支持する側壁とを備えた容器と、前記容器の内部の前記半導体基板の上に形成されて可動部を備えて前記半導体集積回路に接続された第2受動素子と、前記半導体集積回路,前記第1受動素子,前記第2受動素子の少なくとも1つに接続して前記半導体基板の上に前記第1受動素子,前記第2受動素子とともに形成された電極と、前記第1受動素子及び前記容器を埋め込んで前記半導体基板の全域に形成された樹脂絶縁層と、前記電極の上に接続して配置された前記樹脂絶縁層を貫通する貫通電極と、前記樹脂絶縁層の上に形成されて前記貫通電極に接続する再接続配線と、前記再接続配線を覆うように形成された保護膜と、前記保護膜の表面に一部が露出した状態に形成されて前記再接続配線に接続する外部と接続するための端子とを少なくとも備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/12

FI (2件)：

H01L23/12 B , H01L23/12 501P

引用特許：

出願人引用 (4件)

特許第2988898号公報
特許第3465617号公報
特許第3540729号公報

全件表示

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-037506 出願人：三菱電機株式会社
電子部品およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-150504 出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る