特許
J-GLOBAL ID：200903089709393444
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320274
公開番号（公開出願番号）：特開2006-134987
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 長寿命かつ高信頼性で特性も良好な、発振波長が405nmより長いAlGaInN系半導体レーザを実現することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 低欠陥密度領域1中にストライプ状の高欠陥密度領域2を規則的に有するGaN基板1上にレーザ構造を形成するAlGaInN系半導体層を成長させ、このAlGaInN系半導体層にレーザストライプを形成することによりAlGaInN系半導体レーザを製造する場合に、そのレーザストライプの端と最近接の第2の領域の端との間の距離dを0μm以上60μm以下あるいは10μm以上50μm以下とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1の平均欠陥密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均欠陥密度より高い第2の平均欠陥密度を有するストライプ状の第2の領域を有する窒化物系III-V族化合物半導体基板上にレーザ構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層が成長された、発振波長が405nmより長い半導体レーザであって、
レーザストライプの端と最近接の上記第2の領域の端との間の距離が0μm以上60μm以下である
ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F173AA08
, 5F173AA16
, 5F173AH22
, 5F173AL04
, 5F173AL05
, 5F173AL13
, 5F173AP06
, 5F173AP82
, 5F173AP92
, 5F173AR82
, 5F173AR96
