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J-GLOBAL ID：201002231663366500   整理番号：10A0908785

15nm幅メサ構造と7MA/cm²のドレイン電流密度を持つ垂直型InGaAsチャンネル金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタの作成

Fabrication of Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor with a 15-nm-Wide Mesa Structure and a Drain Current Density of 7MA/cm²

著者 (3件)： SAITO Hisashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 8  ページ： 084101.1-084101.3  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に狭いメサ構造,非ドープチャンネル,およびヘテロ構造ランチャを持つ垂直型InGaAsチャンネル金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MISFET)を提案する。狭いメサ構造を得るために,ドライエッチングの後の選択的アンダーカットエッチングを行うことを提案する。長さ60nmで15nm幅のチャンネルメサ構造を持つ素子を作成した。作成した素子において,観測したドレイン電流密度は1.1A/mmであった。チャンネルメサ幅が15nmであるため,単位面積当たりのドレイン電流密度は7MA/cm²であった。このように,超狭メサ行動に対して高電流密度が達成できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *メサ構造 ,  *電流 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  FET【トランジスタ】 ,  *MISFET ,  素子構造 ,  ドライエッチング ,  アンダカット ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： *ドレイン電流 ,  電界効果トランジスタ ,  *金属絶縁半導体型電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• SNODGRASS, W. IEDM Tech. Dig., 2006. 2006, 595
• KIM, D. H. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 830
• MIYAMOTO, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 7221
• MIYAMOTO, Y. IEICE Trans. Electron, C. 2006, E89-C, 972
• SUWA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L202

タイトルに関連する用語 (8件)： メサ構造 ,  ドレイン ,  電流密度 ,  垂直型 ,  InGaAs ,  チャンネル ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ