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J-GLOBAL ID：200902288673252376   整理番号：07A0351065

ゲートバイアスによって制御したホットエレクトロントランジスタにおけるコレクタ電流の増加

Increase in Collector Current in Hot-Electron Transistors Controlled by Gate Bias

著者 (6件)： SUWA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KASHIMA Issei (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 8-11  ページ： L202-L204  発行年： 2007年03月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートバイアスで制御されるホットエレクトロントランジスタで,...

シソーラス用語： *トランジスタ ,...
準シソーラス用語： オープン回路 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• KROEMER, H. J. Vac. Sci. Technol. B. 1983, 1, 126
• MIYAMOTO, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 7221
• MIYAMOTO, Y. Trans. IEICE Electron., C. 2006, E89, 972
• FURUYA, K. 2nd Joint Int. Conf. New Phenomena in Mesoscopic Systems and Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, 2005. 2005, 28
• CHOQUETTE, K. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 1997, 3, 916

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲートバイアス ,  ホットエレクトロントランジスタ ,  コレクタ電流