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J-GLOBAL ID：201002236458369719   整理番号：10A0491061

再成長AlGaN接触層をもつ圧縮歪みを加えたIn_xAl_1-xN/Al_0.22Ga_0.78N/GaN(x=0.245~0.325)ヘテロ構造

Compressively Strained In_xAl_1-xN/Al_0.22Ga_0.78N/GaN (x=0.245-0.325) Heterostructure Field Effect Transistors with Regrown AlGaN Contact Layers

著者 (3件)： HIROKI Masanobu (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  MAEDA Narihiko (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Corp., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DF13.1-04DF13.6  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 再成長AlGaN接触層をもつ圧縮歪みを加えたIn_xAl_1-xN(15nm)/Al_0.22Ga_0.78N(3nm)/GaNヘテロ構造電界効果トランジスター(FET)を作製した。InAlNにおける圧縮歪みの増大は分極電荷を減少させた,すなわち,InAlNのIn含有量が0.245から0.325まで増大するにつれて2次元電子気体の密度は6.5×10¹²から1.3×10¹²cm^-2まで減少した。AlGaN層の挿入により0.245のIn含有量で1570cm²V^-1s^-1という高い電子移動度を達成した。選択的に再成長させたAlGaN接触層は,In_0.325Al_0.675/Al_0.22Ga_0.78N/GaNに対するアクセス層でシート抵抗を17000から584Ω/sq.まで減少させた。我々はこの構造をもつFETを作製した。再成長AlGaN接触層をもたないFETは高抵抗のためにまったく動作しなかった。対照的に,再成長AlGaNをもつデバイスは動作した。最大相互コンダクタンスは60mS/mm,そしてドレーン電流は0.11A/mmである。閾値電圧はより浅くなり,In含有量が0.245から0.325まで増大するとともにー3.2からー2.0Vまで変化する。これらの結果は,InAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造をもつ増強モードFETを作製するのが可能であることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *歪 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  *キャリア移動度 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *多層膜 ,  結晶成長 ,  相互コンダクタンス ,  *圧縮歪 ,  再成長 ,  窒化インジウムアルミニウム ,  電子移動度 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (27件)：

• J. Kuzmík: IEEE Electron Device Lett.22(2001)510.
• A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur: J. Appl. Phys.74(1993)6734.
• F. Bernardini and V. Fiorentini: Phys. Rev. B 56(1997)10024.
• O. Ambacher, R. Dimitrov, M. Stutzmann, B. E. Foutz, M. J. Murphy, J. A. Smart, J. R. Shealy. N. G. Weimann, K. Chu, M. Chumbes, B. Green, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, and L. F. Eastman: Phys. Status Solidi B 216(1999)381.
• M. Higashiwaki and T. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004) L768.

タイトルに関連する用語 (6件)： 再成長 ,  AlGaN ,  接触層 ,  圧縮歪み ,  GaN ,  ヘテロ構造