文献

J-GLOBAL ID：201002247424929725   整理番号：10A1102806

強結合状態における自己形成InAs量子ドットと超伝導体の輸送特性

著者 (11件)： 神尾充弥 (東京理大) ,  KIM S. (物質・材料研究機構) ,  石黒亮輔 (東京理大) ,  渡辺英一郎 (物質・材料研究機構) ,  津谷大樹 (物質・材料研究機構) ,  柴田憲治 (東大 生産技研) ,  平川一彦 (東大 生産技研) ,  平川一彦 (JST-CREST) ,  高柳英明 (東京理大) ,  高柳英明 (物質・材料研究機構) ,  高柳英明 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14A-P3-16  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *SQUID ,  ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  原子間力顕微鏡 ,  電子ビームリソグラフィー ,  コンダクタンス ,  Andreev反射 ,  強結合 ,  アルミニウム ,  *超伝導体 ,  多層膜
準シソーラス用語： 微分コンダクタンス

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強結合 ,  自己形成 ,  InAs量子ドット ,  超伝導体 ,  輸送特性