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J-GLOBAL ID：201002255377745168   整理番号：10A0465210

AlGaAs犠牲層を用いた金属埋め込み半導体ピラー構造の作製

著者 (11件)： 宮村壮太 (北大 電子科研) ,  飯島仁史 (北大 電子科研) ,  定昌史 (物質・材料研究機構) ,  加藤大望 (北大 電子科研) ,  井田惣太郎 (北大 電子科研) ,  中島秀朗 (北大 電子科研) ,  江國晋吾 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (JST-CREST) ,  末宗幾夫 (北大 電子科研) ,  末宗幾夫 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19A-TS-4  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *ドライエッチング ,  *埋込み【挿入】 ,  微細構造 ,  メサ構造 ,  *金属 ,  真空蒸着 ,  MBE成長
準シソーラス用語： *マイクロピラー ,  犠牲層

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaAs ,  犠牲層 ,  埋め込み ,  ピラー ,  作製