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J-GLOBAL ID：201102219723002755   整理番号：11A1491663

Si/SiGe量子ドット構造のシミュレーションと作製

著者 (14件)： 福岡佑二 (東工大 量子ナノ研セ) ,  小寺哲夫 (東工大 量子ナノ研セ) ,  小寺哲夫 (東大 ナノ量子機構) ,  小寺哲夫 (JST-さきがけ) ,  大塚朋廣 (東大 工) ,  武田健太 (東大 工) ,  小幡利顕 (東大 工) ,  吉田勝治 (東大 工) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  内田建 (東京工大 大学院) ,  白木靖寛 (東京都市大 総研) ,  樽茶清悟 (東大 ナノ量子機構) ,  樽茶清悟 (東大 工) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノ研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1P-P10-3  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子ドット ,  計算機シミュレーション ,  *HEMT ,  電子スピン ,  コヒーレンス長 ,  二次元電子ガス ,  ゲート【半導体】 ,  *ケイ化ゲルマニウム ,  計算機利用 ,  利用

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  SiGe ,  量子ドット ,  シミュレーション ,  作製