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J-GLOBAL ID：201102233708702816   整理番号：11A0796138

プラズマCVDで製膜したトレンチ基板上の炭素系薄膜の製膜速度の主放電電力依存性

著者 (15件)： 浦川達也 (九大) ,  野村卓矢 (九大) ,  松崎秀文 (九大) ,  山下大輔 (九大) ,  内田儀一郎 (九大) ,  古閑一憲 (九大) ,  古閑一憲 (JST-CREST) ,  白谷正治 (九大) ,  白谷正治 (JST-CREST) ,  節原裕一 (阪大 接合研) ,  節原裕一 (JST-CREST) ,  関根誠 (名大 院) ,  関根誠 (JST-CREST) ,  堀勝 (名大 院) ,  堀勝 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-BG-13  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  トレンチカット【加工】 ,  消費電力 ,  薄膜成長 ,  製膜 ,  *炭素
準シソーラス用語： 放電電力

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマCVD ,  製膜 ,  トレンチ ,  炭素 ,  薄膜 ,  電力依存性