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J-GLOBAL ID：201102256590154860   整理番号：11A0797535

Si/SiGe量子ドット作製に向けたPdトップゲート動作点の低電圧化

著者 (14件)： 福岡佑二 (東工大 量子ナノ研セ) ,  小寺哲夫 (東工大 量子ナノ研セ) ,  小寺哲夫 (東大 ナノ量子機構) ,  小寺哲夫 (JST-さきがけ) ,  大塚朋廣 (東大 工) ,  武田健太 (東大 工) ,  小幡利顕 (東大 工) ,  吉田勝治 (東大 工) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  内田建 (東京工大 大学院) ,  白木靖寛 (東京都市大 総研) ,  樽茶清悟 (東大 ナノ量子機構) ,  樽茶清悟 (東大 工) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノ研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-KV-6  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *HEMT ,  基板 ,  パラジウム ,  接合形FET ,  二次元電子ガス ,  *量子ドット ,  ポテンシャル障壁 ,  効果 ,  空乏層 ,  容量電圧特性 ,  変調ドーピング ,  歪シリコン ,  二重量子ドット
準シソーラス用語： Schottky障壁ゲート電界効果トランジスタ ,  トンネル障壁 ,  遮蔽効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  SiGe ,  量子ドット ,  作製 ,  PD ,  トップゲート ,  低電圧