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J-GLOBAL ID:201102272231712615   整理番号:11A1492354

結晶珪素用のO3に基づくALDにより蒸着した酸化アルミニウム薄膜

Aluminum Oxide Thin Films Deposited by O3 Based ALD for Crystalline Silicon
著者 (19件):
資料名:
巻: 72nd  ページ: ROMBUNNO.2A-ZH-3  発行年: 2011年08月16日 
JST資料番号: Y0055B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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太陽電池 

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