特許

J-GLOBAL ID：201103015059722914

半導体レーザの製造方法

発明者： 浅野 竹春 ,  朝妻 庸紀 ,  日野 智公 ,  冨谷 茂隆 ,  山口 恭司 ,  小林 高志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-158298
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332693
特許番号：特許第3975971号
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、 上記リッジ形状のストライプを形成する工程と、 上記リッジを覆うように窒化物系III-V族化合物半導体からなる埋め込み半導体層を成長させ、この際、この埋め込み半導体層のうちの上記リッジの両側の部分が、下地層と接触する単結晶の部分とその上の柱状結晶からなる多結晶の部分とからなるようにする工程と、 上記リッジの上の部分の上記埋め込み半導体層を除去する工程とを有する ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/223 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01S 5/323 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01S 5/223 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-071979   出願人：株式会社東芝
• 半導体レ-ザダイオ-ドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-105763   出願人：三菱電機株式会社
• 化合物半導体エピタキシャルウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-282524   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199045   出願人：ソニー株式会社