特許

J-GLOBAL ID：200903096365005420

窒化物系III-V族化合物半導体レーザ

発明者： 東條 剛
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031599
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 リッジ幅を狭めることなく、高次モードの発生を回避し、基本モードの発振がなされる屈折率ガイド型GaN系すなわち窒化物系III-V族化合物半導体レーザを得ることができるようにする。【解決手段】 リッジ型構成とし、そのリッジ1の幅方向の両側に、発振光を吸収するGaN系の埋込み層2を形成する。この埋込み層の吸収係数αは、活性層近傍の、リッジ部とその両側で形成される屈折率差Δnが、屈折率ガイド効果が得られる値の、Δn≧10-3を得ることのできるα≧104 cm-1に、この埋込み層の材料、もしくは結晶状態等を選定するものである。

請求項（抜粋）：

リッジ型窒化物系III-V族化合物半導体レーザであって、リッジの幅方向の両側に、発振レーザ光を吸収するGaN系の埋込み層が形成されて成ることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Fターム (23件)：

5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CB05 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA22 ,  5F073EA07 ,  5F073EA16 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039646   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-239252   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206937   出願人：株式会社東芝