特許
J-GLOBAL ID：201103017986006846

半導体装置の製造方法

発明者：
小舘 淳一

小舘 淳一 について

, 
町田 克之

町田 克之 について

, 
浦野 正美

浦野 正美 について

, 
束原 恒夫

束原 恒夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276738
公開番号（公開出願番号）：特開2006-088268
特許番号：特許第4426413号
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の上に信号処理を含む回路機能を有する半導体集積回路が形成された状態とする工程と、 前記半導体基板の上に前記半導体集積回路に接続された第1受動素子が形成された状態とする工程と、 前記半導体基板の上に所定領域を囲う側壁枠とこの側壁枠内に配置されて前記半導体集積回路に接続された第2受動素子とが形成された状態とする工程と、 前記側壁枠の上に前記半導体基板の面に対向する天井壁が形成されて前記第2受動素子が前記側壁枠と前記天井壁とからなる容器に配置された状態とする工程と、 前記第1受動素子及び前記第2受動素子を埋め込んで上面が平坦な樹脂絶縁層が前記半導体基板の全域に形成された状態とする工程と、 外部との接続のための端子が前記樹脂絶縁層の上面に形成された状態とする工程と を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
B81C 1/00 ( 200 6.01)
FI (1件)：
B81C 1/00
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM