特許
J-GLOBAL ID：201103020053340169
金属酸化物薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-534641
特許番号：特許第4235551号
出願日： 2002年09月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】非晶質を含む金属酸化物膜を、温度180°C以下にて、高周波電界中で低温高周波プラズマに曝露することにより、理論密度と比較した相対密度が90%以上である結晶性の金属酸化物薄膜を製造することを特徴とする金属酸化物薄膜の製造方法。
IPC (7件)：
C23C 26/00 ( 200 6.01)
, C01B 13/14 ( 200 6.01)
, C01G 19/00 ( 200 6.01)
, C01G 23/047 ( 200 6.01)
, C01G 25/00 ( 200 6.01)
, C23C 14/58 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
C23C 26/00 M
, C23C 26/00 C
, C01B 13/14 A
, C01G 19/00 A
, C01G 23/047
, C01G 25/00
, C23C 14/58 Z
, H01L 21/316 P
