特許
J-GLOBAL ID:200903069997445959

透明電極及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-090228
公開番号(公開出願番号):特開2000-285752
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 光照射により透明電極材料の結晶化を低温で進めるに際して、プラスチック基板等の有機物基体の著しい変質を抑止し、十分に高い電気伝導率を有する透明電極を形成する方法等を提供する。【解決手段】 有機物基体上に、該有機物基体の光変性を防止する光変性防止層を形成する工程と、前記光変性防止層上に、透明電極材料層を形成する工程と、前記透明電極材料層にその基礎吸収端波長よりも短い波長の光を照射して透明電極材料を結晶化させる工程とを有することを特徴とする透明電極の形成方法。
請求項(抜粋):
有機物基体上に、該有機物基体の光変性を防止する光変性防止層を形成する工程と、前記光変性防止層上に、透明電極材料層を形成する工程と、前記透明電極材料層にその基礎吸収端波長よりも短い波長の光を照射して透明電極材料を結晶化させる工程とを有することを特徴とする透明電極の形成方法。
IPC (2件):
H01B 13/00 503 ,  H01B 5/14
FI (2件):
H01B 13/00 503 B ,  H01B 5/14 A
Fターム (5件):
5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
引用特許:
審査官引用 (8件)
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