特許

J-GLOBAL ID：201103025301202942

高強度超短パルスレーザー加工方法

発明者： 増原 宏 ,  城田 靖彦 ,  朝日 剛 ,  細川 陽一郎
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052687
公開番号（公開出願番号）：特開2001-239379
特許番号：特許第3779119号
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 高強度超短パルスレーザーを、試料台上に設けられる固体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体状有機化合物に吸収される領域の表面層のみが階段状に加工されることを特徴とする高強度超短パルスレーザー加工方法。

IPC (4件)：

B23K 26/36 ( 200 6.01) ,  B23K 26/00 ( 200 6.01) ,  B23K 26/38 ( 200 6.01) ,  H01S 3/10 ( 200 6.01)

FI (4件)：

B23K 26/36 ,  B23K 26/00 G ,  B23K 26/38 330 ,  H01S 3/10 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-111800
  
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268044   出願人：株式会社シンク・ラボラトリー