ナノインプリント成型積層体の検査方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：酒井一 , 蔵合正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-200306
公開番号（公開出願番号）：特開2011-053013
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】ナノインプリント成型積層体の欠陥検査や膜厚測定を簡便かつ迅速に、非破壊で行うことが可能な検査方法を提供すること。【解決手段】本発明の検査方法は、鋳型モールドを用いるナノインプリント法により成型されたレジスト材料からなる膜層を有する基板に対して、レジスト材料を発光させる励起波長の光を照射し、基板上の成型されたレジスト材料からなる膜層からの発光を発光パターン画像として取得する工程(1)と、該発光パターン画像を、成型に用いた鋳型モールドのパターン画像又は同一鋳型モールドで繰り返し成型した該発光パターン画像と異なる発光パターン画像と比較し、画像の相違点を欠陥として検出する欠陥検出工程(2)及び/又は、該発光パターン画像を発光強度により解析し、発光強度の値から膜厚を測定する膜厚測定工程(3)とを含み、半導体、配線基板、電子デバイス、光学デバイス等の製造における品質管理に有用である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

鋳型モールドを用いるナノインプリント法により成型されたレジスト材料からなる膜層を有する基板に対して、レジスト材料を発光させる励起波長の光を照射し、基板上の成型されたレジスト材料からなる膜層からの発光を発光パターン画像として取得する工程(1)と、工程(1)で取得した発光パターン画像を、成型に用いた鋳型モールドのパターン画像または同一鋳型モールドで繰り返し成型した該発光パターン画像と異なる発光パターン画像と比較し、画像の相違点を欠陥として検出する欠陥検出工程(2)及び/又は、工程(1)で取得した発光パターン画像を発光強度により解析し、発光強度の値から膜厚を測定する膜厚測定工程(3) とを含むナノインプリント成型積層体の検査方法。

IPC (5件)：

G01B 11/24 , G01N 21/956 , G01N 21/64 , G01B 11/06 , H01L 21/027

FI (5件)：

G01B11/24 K , G01N21/956 Z , G01N21/64 F , G01B11/06 H , H01L21/30 502D

Fターム (40件)：

2F065AA30 , 2F065AA49 , 2F065AA55 , 2F065BB02 , 2F065BB17 , 2F065CC01 , 2F065DD06 , 2F065FF04 , 2F065GG02 , 2F065GG03 , 2F065JJ03 , 2F065JJ26 , 2F065LL00 , 2F065LL22 , 2F065PP24 , 2F065QQ25 , 2F065RR07 , 2F065RR08 , 2F065SS02 , 2F065SS13 , 2G043AA03 , 2G043CA05 , 2G043EA01 , 2G043HA01 , 2G043HA09 , 2G043KA02 , 2G043KA03 , 2G043KA05 , 2G043LA03 , 2G051AA56 , 2G051AB07 , 2G051AC21 , 2G051BA05 , 2G051BB03 , 2G051CA04 , 2G051CB10 , 5F046AA18 , 5F046AA28 , 5F146AA18 , 5F146AA28

引用特許：

審査官引用 (8件)

基板の上に配置された膜の特性を測定する方法およびシステム
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-554141 出願人：モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-148009 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
レジストパターンの欠陥検査方法及びその欠陥検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-039187 出願人：セイコーエプソン株式会社

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