特許
J-GLOBAL ID：200903063342737452

半導体装置の作製方法

発明者：
前川 慎志

前川 慎志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-148009
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019707
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 ナノインプリント法を用いることでコストを抑えることができる、半導体装置の作製方法の提案を課題とする。【解決手段】 本発明は、島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、パターンが形成されたモールドをレジストに押し付けた状態でレジストの硬化を行なうことで、パターンをレジストに転写し、導電膜の一部が露出するまでパターンが転写されたレジストの表面をアッシングし、アッシングされたレジストをマスクとして用い、導電膜をエッチングすることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、 パターンが形成されたモールドを前記レジストに押し付けた状態で前記レジストの硬化を行なうことで、前記パターンを前記レジストに転写し、 前記導電膜の一部が露出するまで前記パターンが転写された前記レジストの表面をアッシングし、 前記アッシングされた前記レジストをマスクとして用い、前記導電膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (9件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/321 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/027
FI (9件)：
H01L29/78 627C ,  H01L21/28 L ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 616A ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 A ,  H01L21/88 D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/30 502D
Fターム (116件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD07 ,  4M104DD61 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033MM08 ,  5F033NN03 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F046AA20 ,  5F046AA28 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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