特許
J-GLOBAL ID：201103033890564975
光電気集積回路およびヘテロ接合ホトトランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松元 洋
, 光石 俊郎
, 田中 康幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019460
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223685
特許番号：特許第3589390号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層を積層されて、コレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタと、当該基板上に前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記サブコレクタ層、前記コレクタ層および前記ベース層と共通する各半導体層を有して、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ電極および前記ベース電極と同時に形成された各電極を有するフォトダイオードとを備え、当該フォトダイオードに入射した信号光を電気信号に変換処理して出力する光電気集積回路において、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記ベース層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層の不純物濃度またはバンドギャップエネルギが、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記コレクタ層と共通する前記フォトダイオードの前記半導体層側ほど段階的または連続的に減少していると共に、信号光を入射させる入射窓を前記基板の前記フォトダイオード側の側端面に当該基板の厚さ方向内側ほど窪んだ傾斜状となるように設けることにより、当該入射窓から入射する信号光を屈折させて、前記フォトダイオードの前記半導体層内に積層方向に対して斜めに通過させるようにしたことを特徴とする光電気集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 Z
, H01L 31/10 A
