特許
J-GLOBAL ID：201103038288817139
半導体光変調器及び光変調器付きレーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
根岸 裕一
, 本山 泰
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321580
公開番号（公開出願番号）：特開2004-133437
特許番号：特許第4072107号
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電形の下部クラッド層と、
この下部クラッド層の上に形成され、量子井戸層及び障壁層から構成された量子井戸構造の光吸収層と、
この光吸収層上に形成された第2導電形の上部クラッド層と、
を少なくとも備え、
前記量子井戸層は、In1-X-YGaXAlYN(0≦X,Y≦1,0≦X+Y≦1)から構成され、
前記障壁層は、In1-X'-Y'GaX'AlY'N(0≦X’,Y’≦1,0≦X’+Y’≦1)から構成され、
前記下部クラッド層,光吸収層,及び上部クラッド層により、光入射端を備えた光導波路が構成され、
前記量子井戸及び前記障壁層は、InGaAlNの非混和領域以外の相分離のない組成範囲とされており、
前記光吸収層は無バイアスの状態で分極が発生しており、
前記分極は前記光吸収層において発生している同じ方向の自然分極とピエゾ分極の和であることを特徴とする半導体光変調器。
IPC (2件)：
G02F 1/017 ( 200 6.01)
, H01S 5/026 ( 200 6.01)
G02F 1/017 501
, G02F 1/017 503
, H01S 5/026 616
