半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329913
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163522
特許番号：特許第3113957号
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極からなるMOSトランジスタと、前記シリコン基板および前記MOSトランジスタ上に形成されたホウ素とリンのいずれか一方もしくは両方を含むシリコン酸化膜からなり前記MOSトランジスタを保護するための層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成されたECRプラズマCVD法によるシリコン酸化膜からなる水分の透過を阻止する能力の高い水分透過防止膜と、この水分透過防止膜上に形成された金属配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：