特許
J-GLOBAL ID:201103050737771157

単一電子素子評価装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-088349
公開番号(公開出願番号):特開2002-286618
特許番号:特許第3936148号
出願日: 2001年03月26日
公開日(公表日): 2002年10月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】(a)少なくとも先端部を導電性材料で形成した探針と、 (b)導電性基板と、 (c)該導電性基板上に導電性材料で形成したアイランドと、 (d)前記探針を一端側に取り付けると共に、該探針と前記導電性基板との間でXYZの各方向に相対的に移動可能な探針ホルダーと、 (e)該探針ホルダーを前記導電性基板に対して相対的に移動させる手段と、 (f)前記探針と前記導電性基板間に探針電圧を印加する手段と、 (g)前記導電性基板と前記探針の相対距離を周期的に変化させた時に誘起される変位電流を検出する変位電流検出手段と、 (h)前記探針と導電性基板間の相対距離を周期的に変化させた時に検出された変位電流の探針電圧依存性に基づき、測定点のアイランドの電荷量と、前記アイランドと容量を介して接続された前記探針及び導電性基板間の静電容量と、前記アイランドと容量を介して接続された前記探針及び導電性基板間のトンネル抵抗と、前記アイランドの補償電荷とを評価する手段を具備することを特徴とする単一電子素子評価装置。
IPC (4件):
G01N 13/20 ( 200 6.01) ,  G01N 13/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  H01L 29/66 ( 200 6.01)
FI (4件):
G01N 13/20 A ,  G01N 13/12 A ,  H01L 21/66 L ,  H01L 29/66 S
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
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