特許
J-GLOBAL ID：201103051688405960
単結晶窒化インジウム膜の取得方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269967
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107117
特許番号：特許第3762992号
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒素源としてRFプラズマにより窒素を含む原料ガスを分解して得た窒素ラジカルを用いる分子線エピタキシー成長法により、サファイア基板上にAlxGa1-xN(0≦x≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体を0.5〜100nmの厚さとした第1バッファ層を200°C〜600°Cの結晶成長温度で三次元成長させて形成し、該第1バッファ層上に分子線エピタキシー成長法によりアモルファス窒化インジウムを0.5〜100nmの厚さとした第2バッファ層を200°C〜400°Cの結晶成長温度で三次元アモルファス成長させて形成し、該第2バッファ層上に500nm以上の厚さの単結晶窒化インジウム層を400°C〜600°Cの成長温度で成長させ、成長終了後の基板の降温過程で生じる歪み(成長温度と降温後の室温との温度差とサファイア基板と窒化インジウムの熱膨張係数差に起因する歪み)を上記第2バッファ層に集中させて、第2バッファ層を第1バッファ層もしくは単結晶窒化インジウム層から剥離させ、サファイア基板から分離した単結晶窒化インジウム層を単結晶窒化インジウム膜として取得するようにしたことを特徴とする単結晶窒化インジウム膜の取得方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 23/08 ( 200 6.01)
C30B 29/38 Z
, C30B 23/08 M
