特許
J-GLOBAL ID：200903043659709160

窒化物半導体基板の製造方法

発明者：
向井 孝志

向井 孝志 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179856
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012979
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【目的】 青色発光ダイオード、青色レーザダイオード等の窒化物半導体に用いられる基板であって、貫通転位等の結晶欠陥が大幅に改善された基板を得ることを目的とする。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1上に、少なくともInを含む窒化物半導体よりなる第1の窒化物半導体層2と、前記第1の窒化物半導体層の上に、第2の窒化物半導体層3とを成長させて、前記第1の窒化物半導体層3を分解させ(3 ́)、その後、前記第2の窒化物半導体層の上に、基板となる第3の窒化物半導体層を成長させる。このことにより、異種基板との格子不整合、熱膨張係数差などにより発生した転位が窒化物半導体基板5に伝播するのを防ぎ、結晶性の良好な窒化物半導体基板が得られる。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に、少なくともInを含む窒化物半導体よりなる第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に、第2の窒化物半導体層とを成長させた後、前記第1の窒化物半導体層を分解させ、その後、前記第2の窒化物半導体層の上に、基板となる第3の窒化物半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 5/30 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (46件)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FE07 ,  4G077FE18 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045GH09 ,  5F045HA16 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F073EA07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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