半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-193353
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044659
出願日： 2009年08月24日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

【課題】接合リークを抑制しながら、キャリアの移動度向上とチャネル中でのキャリア速度の増加を実現することができるトランジスタを提供する。【解決手段】半導体基板10のチャネル形成領域にチャネル方向に第1の幅を有するSiGe層15が埋め込まれ、チャネル形成領域上にゲート絶縁膜28が形成され、ゲート絶縁膜上に、第1の幅より大きい第2の幅を有してSiGe層の形成領域からはみ出す領域を有するゲート電極29が形成され、チャネル形成領域を挟む半導体基板においてエクステンション領域12を有するソースドレイン領域13が形成されて、電界効果トランジスタが構成されており、エクステンション領域と半導体基板の接合面から伸びる空乏層がSiGe層に達しないようにエクステンション領域とSiGe層が離間されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域にチャネル方向に第1の幅を有するSiGe層が埋め込まれている半導体基板と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第1の幅より大きい第2の幅を有して前記SiGe層の形成領域からはみ出す領域を有するゲート電極と、前記チャネル形成領域を挟む前記半導体基板において形成されたエクステンション領域を有するソースドレイン領域と、を有して電界効果トランジスタが構成されており、前記エクステンション領域と前記半導体基板の接合面から伸びる空乏層が前記SiGe層に達しないように前記エクステンション領域と前記SiGe層が離間されている半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (8件)：

H01L29/78 301H , H01L29/78 301G , H01L29/78 301P , H01L29/78 301S , H01L29/78 301B , H01L27/08 321C , H01L27/08 321D , H01L27/08 321E

Fターム (84件)：

5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BC05 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD00 , 5F048BD01 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA05 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BB01 , 5F140BB03 , 5F140BB13 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BD06 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF44 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG54 , 5F140BH14 , 5F140BH27 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK17 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CE20 , 5F140CF05

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-288417 出願人：三菱電機株式会社
極薄先端を有する新規のトランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-251079 出願人：インテル・コーポレーション
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-185301 出願人：株式会社東芝

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