特許

J-GLOBAL ID：201103066979290874

半導体装置およびその製造方法

発明者： 若林 整
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159829
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012869
特許番号：特許第2907126号
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも窒化チタン膜と高融点金属膜の積層構造を含むゲート電極を有するMOS型の半導体装置の製造方法であって、窒化チタン膜を形成する工程と、引き続き該窒化チタン膜を再結晶化する工程と、高融点金属膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• MOSトランジスタの多層ゲート電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-173248   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238443   出願人：株式会社東芝
• シリコン基板上に2つの層を形成させる方法及びシリコン基板上の接点領域の充填物を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-163370   出願人：インテル・コーポレーシヨン
• ローカルインターコネクト構造を設けるための半導体製造プロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-103975   出願人：モトローラ・インコーポレイテツド